您的当前位置：首页瞬态电压抑制二极管封装结构

瞬态电压抑制二极管封装结构

来源：二三四教育网

（19）中华人民共和国国家知识产权局

（12）发明专利说明书

（21）申请号 CN201310311149.7 （22）申请日 2013.07.23

（71）申请人中国振华集团永光电子有限公司

地址贵州省贵阳市新添大道北段270号

（10）申请公布号 CN104347565B

（43）申请公布日 2017.02.15

（72）发明人许小兵;程勇;吴贵松;李大强;许晓鹏（74）专利代理机构云南派特律师事务所

代理人张怡

（51）Int.CI

权利要求说明书说明书幅图

（）发明名称

瞬态电压抑制二极管封装结构

（57）摘要

本发明涉及半导体结构，具体是一种

瞬态电压抑制二极管封装结构；其包括基底、设置于基底上端面的封装体及设置于基底下端面的数个电极，所述基底上端具有凹槽，该凹槽内设置有管芯组件，所述管芯组件包括数个呈层状堆叠的铜电极片及设置于相邻铜电极片之间的管芯，所述封装体与基底形成一腔室，所述管芯组件设置于该腔室内；本发明中铜电极片具有很好的散热性，所以使得整个产品散热性好、可靠性高、使用寿命长，此外本发明还具有引线不易断

裂，生产效率高等优点。法律状态

法律状态公告日

2015-02-11 2015-03-18 2017-02-15

公开

实质审查的生效授权

法律状态信息

公开

法律状态

实质审查的生效授权

权利要求说明书

瞬态电压抑制二极管封装结构的权利要求说明书内容是....请下载后查看

说明书

瞬态电压抑制二极管封装结构的说明书内容是....请下载后查看

因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容

查看全文