一种高纯铟提纯方法[发明专利]

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专利名称：一种高纯铟提纯方法专利类型：发明专利发明人：曹昌威,唐朝辉申请号：CN202010660255.6申请日：20200710公开号：CN111593211A公开日：20200828

摘要：本发明公开了一种高纯铟提纯方法，在10Pa真空条件下，将原料铟溶液通过真空负压吸入真空炉下段蒸发区，真空炉下段蒸发区温度为1020～1180℃，真空炉上段精馏塔温度为900～1000℃；原料铟溶液在真空炉下段蒸发区蒸发为铟蒸汽，铟蒸汽在真空炉上段精馏塔冷凝为高纯铟溶液并流出；将流出的高纯铟溶液冷凝至170～230℃，获得高纯铟固体。与现有技术相比，本技术方案提供的高纯铟提纯方法，利用真空环境降低铟溶液的沸点，同时利用较小的汽化和冷凝温差，使真空炉内的环境满足铟的蒸发和冷凝，其他杂质在该条件下难以蒸发或冷凝，以提高获得的高纯铟固体的纯度。

申请人：楚雄川至电子材料有限公司

地址：675000 云南省楚雄彝族自治州楚雄高新区云甸工业园云发路

国籍：CN

代理机构：成都四合天行知识产权代理有限公司

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