半导体装置及振荡器[发明专利]

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专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：半导体装置及振荡器专利类型：发明专利发明人：高木成和

申请号：CN200610107873.8申请日：20060727公开号：CN1905361A公开日：20070131

摘要：提供一种Q值大、相位噪声特性良好的半导体装置。半导体装置(1)具有：半导体基板(10)，其包括作为有源元件的集成电路(12)和与集成电路(12)电连接的多个连接电极(14、15)；第1树脂层(70)，其形成于半导体基板(10)的形成有连接电极(14、15)的面上，并且避开了连接电极(14、15)；连接布线层(25、26)，其形成于半导体基板(10)和第1树脂层(70)之间，连接多个连接电极中的一个；由铜布线层构成的旋涡形状的螺旋电感器(40、50)，该铜布线层形成于第1树脂层的表面上，其一端与连接布线层(25、26)连接；覆盖螺旋电感器(40、50)的表面的第2树脂层(75)；外部端子(81～86)，其与多个连接电极中的一些电连接，一部分从第2树脂层(75)突出。

申请人：精工爱普生株式会社

地址：日本东京

国籍：JP

代理机构：北京三友知识产权代理有限公司

代理人：黄纶伟

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